参数 | 值 |
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产品 | 未分类 |
型号编码 | STL11N65M2n: 0 |
说明 | 未分类 |
起订量 | 3 |
最小包 | 3 |
现货 | 401 [库存更新时间:2025-04-02] |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 650V |
连续漏极电流Id | 7A(Tc) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12.4nC @ 10V |
栅极电压Vgs | ±25V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 410pF @ 100V |
功率 | 85W(Tc) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 670 毫欧 @ 3.5A,10V |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TA) |